三星宣布（bù）7nm LPP量產！基（jī）於EUV光刻技術、性能增加20%

10月18日早間消息，三星官方宣布，已（yǐ）經開始（shǐ）進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產工（gōng）作。

據悉，三星的7nm LPP采用（yòng）EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML（阿斯麥（mài）），型（xíng）號（hào）為雙工件台NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。

簡（jiǎn）單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫（zǐ）外光曝光（guāng）矽片，而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻（kè）則是依靠193nm波長，並且需要昂貴的多模掩（yǎn）模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來創建矽晶圓層成為可能，而（ér）ArF可能需要（yào）多達4倍的光罩才能創建相（xiàng）同的晶片。也（yě）就是說（shuō），與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%，為客戶（hù）能夠節省時間和成本。

三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術了。

技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現麵（miàn）積能效（同樣複雜（zá）度為（wéi）量（liàng）綱）提升40%、性能增加（jiā）20%、功耗降低最多50%。

三星透露，基於EUV的7nm LPP成功量產為其推進3nm奠定了基礎、指（zhǐ）明了道路。產能方麵，主要在（zài）韓國華城的S3工廠，2020年前會在開一條新產線。

目前已知，高通新一（yī）代（dài）的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝，看起來驍（xiāo）龍8150/8180等SoC希望也很大。